ARM裸机开发：RAM、ROM、FLASH概念

文章目录

ARM裸机开发：RAM、ROM、FLASH概念

一、RAM和ROM前言

二、RAM

三、ROM

ARM裸机开发：RAM、ROM、FLASH概念

一、RAM和ROM前言

ROM 和 RAM 都是一种存储技术，只是两者原理不同

RAM： 为随机存储，掉电不会保存数据，RAM 速度快，可以直接和 CPU 进行通信，但是掉电以后数据会丢失，容量不容易做大，比如内存条、SRAM、SDRAM、DDR 等都是 RAM；

ROM： 只读存储器，可以在掉电的情况下，依然保存原有的数据；但 ROM 速度慢，容量大，适合存储数据

FLASH： 又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据，U盘和MP3里用的就是这种存储器，因为 Flash 掉电不丢失数据的特性，现在很多人把它归为 ROM 的一种，但实际上它却能够进行写操作，和 ROM 有一定的区别，但也属于 ROM ；

正点原子的开发板上，256MB/512MB 的 DDR3 就 是 RAM，而 512MB NANF Flash 或 8GB EMMC 就是 ROM

二、RAM

RAM 具体可以分为两类：SRAM 和 DRAM 两种：

SRAM： 静态随机存储器，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

优点：速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。

缺点：集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率

DRAM： 动态随机存储器，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失

三、ROM

ROM 根据其读写进行分类，可分为以下几类：

固定ROM： 生产时内部存储的数据或者程序就已经固定

PROM(Programmable ROM)：可一次编程ROM，出厂后可进行一次编程，之后就无法修改内部数据和程序

EPROM：PROM的优化，为了克服PROM只能写入一次的缺点，出现了可多次擦除和编程的存储器，但是其擦除的条件比较特殊，需要借助紫外线

E2PROM：电写入电擦除的只读存储器，擦除时不需要紫外线，只要用加入10ms、20V左右的电脉冲即可完成擦除操作

Flash：闪存储器，它具有E2PROM擦除的快速性，结构又有所简化，进一步提高了集成度和可靠性，从而降低了成本，目前市面上最常见的存储器

ARM Flash

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