《系统与芯片ESD防护的协同设计》 —1.2.2　局部钳位网络和两级防护

1.2.2　局部钳位网络和两级防护

在系统级应力的情形下，由于防护网络累积的高压降，IC输入和输出的轨基防护网络通常效率低下。在上电条件下，有源钳位失能，这样对ESD脉冲的响应就不充分。其他阻碍有源钳位方法的情形包括pad的防护，其耐压在可用的有源器件额定值之上，例如，用5 V半导体工艺实现的放大器，它的与薄膜输入电阻相连的差分输入引脚具有较高的（65 V）共模耐压[7]。其他的例子包括具有双向高耐压的电路引脚。对这种引脚的防护可能不会容许下二极管对地轨，因此也需要排除上二极管对电源轨。所以，局部钳位方法就是唯一的实用方案（图1.10）。在局部钳位防护网络方案中，每个引脚通过专用的局部ESD钳位进行防护，它提供了从引脚到地或直接到另一个引脚的电流通路。

两级片上ESD防护原理适用于局部钳位防护。一般来说，两级防护网络由两个被电阻性电流路径或一个延迟元器件隔开的ESD钳位器的组合构成。基于电阻的两级网络（图1.11a）包含一个将工作电压限制在VP的初级钳位，以及一个将内部节点电压限制在VI的较小的二级钳位。二级电阻RS的选取取决于二级钳位电流IC2：RS = (VP-VI) /IC2。两级钳位对于滤除短脉冲过应力非常有效，这种过应力对于由时间常数RSCI造成的CDM事件来说很常见。CI是内部节点的等效电容。如果内部器件能支撑足够大的脉冲电流水平，二级钳位的使用就成为可选项。

图1.11　a）CMOS输入的两级ESD防护　b）采用次级雪崩二极管的基于局部的网络

c）采用两级匹配电阻的高速接收器ESD防护

针对系统级ESD脉冲的两级防护网络同样适用于片上和板级防护。在PCB方面，优点在于分立元器件的电容和电感较高，同时瞬态电压抑制器TVS可作为初级防护。

两级网络的一个例子是一级回滞钳位被电阻与二级钳位（即一个电压限制雪崩二极管）

（图1.11b）隔开，或者是带有匹配电阻的两级二极管（图1.11c）。初级钳位直接与输入pad连

接。它只在一定程度上限制了电压但传导了大部分电流。然而，初级钳位只是针对钳位电压的波形进行的近似设计。这个分离出来的功能交给更精确但鲁棒性较弱的二级钳位器来处理。对局部防护级之间电流和电压限制功能进行分离，其效果是整体上降低了寄生电容、漏电和噪声。

另外的优点可从级间采用的非线性电阻的实现中得到。例如，它可以作为一个饱和电阻来实现（图1.11a中的RS），从某个饱和电流电平开始提供额外的电压降。

两级网络的原理广泛用于输入和输出的元器件级和系统级防护。在输出情形下，内部电路的功率器件阵列可以为二级防护提供适当的匹配电流，即使是在级间隔离仅仅通过金属电阻来实现的情况下（图1.12）。局部ESD防护的复杂性与那些连接到pad的器件的控制电极在ESD脉冲期间通常是未知的状态有关。因此，内部器件的触发电压可与ESD钳位的触发电压特性相比拟。

上电系统级测试条件下，选择局部回滞钳位器时需要考虑到潜在的瞬时闩锁问题。例如，各种可控硅整流器（SCR）器件一般会产生相对低的维持电压（第3章），低于电源电平，从而产生闩锁风险。

两级原理也可以在器件级实现。一个紧凑型方案的例子是由一个三端口二极管结构来表示的（图1.13a、图1.13b）。它由双边二极管组成，形成一个三端结构。二极管的一边作为功率ESD工作（连接到I/O pad的功率二极管），另一边仅仅维持内部电路的低电位（连接到内部电路的钳位二极管）。两个内部二极管共用同一个阱，这就创建了两级ESD防护电路，具有相应的“内建”阱电阻。二极管结构的一个重要特征是在ESD作用期间的内部电位共享。

I/O引脚的ESD防护可以用图1.13c所示的相应电路来实现。二级元器件的工作可用器件剖面图的数值仿真进行分析（图1.13d），显示pad和内部节点的电压可以相差两倍多。

图1.13　a）N阱中的三端二极管结构　b）P阱中的三端二极管结构　c）基于二极管和器件实现的二级防护轨基网络　d）PAD处及内部节点计算的电压与PAD电流的关系

两级方案用于解决整个ESD脉冲时域问题是有效的。例如，它可以用于限制在回滞型器件触发后的内部残余电压。这可以用EEPROM内存模块中“擦除”引脚的防护案例来说明，该EEPROM可以外部编程。

作为ESD应力的后果，失效的内存单元出现了再编程，这种应力归因于在脉冲开始约800 ns后，擦除引脚处高的残余电压与其他节点电势的组合作用。在基于原始SCR防护的擦除引脚处测得的波形，提供了不同负载下相关的残余电压（图1.14）。对于仅有一个EEPROM单元的小负载，可以观察到作为ESD应力后果的再编程，与此对比的是48个EEPROM单元的高负载时的情形。

为减小残余电压，原始的基于高压SCR的电路（图1.15a）已用一个二级元器件外加一个反馈回路（图1.15b）进行了改进。增加一个使能模块，使二级钳位在正常工作时不起作用。

本地的片上防护不仅仅局限于周边引脚的局部钳位。除了实现良好的ESD性能的目标之外，在内部电路中可以包含本地钳位器。ESD应力对高压电路内部引脚的影响的一个最典型的例子是，低边控制电路、开关器件的逻辑和驱动器的内部电压调整器。由于内部调整器的阻抗相对较低，为了实现两级防护方法，通常不能使用第二级电阻。这使得调整器对ESD损伤的敏感性提高，所以必须将其设计得能承受一定的ESD电流水平。通常，内部产生的VDD电压节点需要一个能够处理较大ESD电流的内部电压钳位器。即使VDD节点完全没有连接到外部引脚，也应该使用这种钳位器。

在内部电压调整器的设计中，最常见的失效位置是高边高功率元器件。在高边基于PMOS的调整器中，高压PMOS失效了（图1.16a）。在这种情形下，栅钳位二极管提供不了实质性的改进（图1.16b）。类似的ESD电流失效路径在双极和堆叠调整器中也可观察到。在这种情形下，由于多米诺效应，可在两个堆叠元器件中都观察到损伤（图1.16c）。用于VCC调整器的高压PMOS的ESD防护（图1.16）是基于在VIN和CBOOT引脚之间形成所期望的ESD通路。

图1.16　失效分析结果[5]　a）、b）PMOS　c）基于NPN BJT的VCC调整器

一般地，可以为ESD脉冲电流提供的路径有3条（图1.17）。第1条是由驱动器控制的大开关NLDMOS提供的。由于漏栅耦合，NLDMOS在很短的时间内导通，对于泄放ESD电流是足够的。这个电流流向开关引脚SW，然后流经BOOST-SW之间钳位的反向电流路径。钳位的反向路径ESD二极管提供这个残余电流通路。在正确设计的ESD防护钳位下，这一电流通路是可逆的。第2个可选的电流路径是通过高压ESD钳位到电源地，然后流经在BOOST和地之间的ESD二极管。这一电流通路也是可逆的。

最后，第3条路径，通常是不可逆的，是由高压PMOS和调整器的其他堆叠元器件（如图1.17所示的NPN二极管）提供的直接到BOOST引脚的电流通路。如果这一电流通路占主导地位，PMOS将面临失效的风险。这一电流通路解释了图1.16a和图1.16b所示的情况。

阵列耦合强度较低以及ESD防护窗口较小时，ESD失效与内部电压调整器有关。它们要求采取产品专用的措施，以克服高压ESD钳位器触发电压的变化、NLDMOS阵列自防护能力对版图和内部电路驱动器设计的依赖、高压PMOS和NLDMOS器件脉冲安全工作区（SOA）的变化。

改善ESD防护的具体方法取决于在特定产品电路内实现的、占主导地位的ESD电流路径。或许第一个最合乎逻辑的解决方案是通过将VIN钳位电压降低到一个较低水平，从而限制PMOS器件上的压降，达到改善ESD防护的目的。然而，对于安全工作区范围较低的优化过的功率元器件，高压ESD防护钳位参数的这种调整也许不是一个好的选项。在这种情况下，鲁棒性最强的方法是进行VCC调整器的ESD导向协同设计，为电路引脚提供高得多的绝对最大脉冲电压。如果工艺允许的话，设计措施可包括采用堆叠的或超大的元器件，或采用功效低、耐压高的元器件。为防护低边驱动器，可能需要额外的内部电源钳位器。

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