在200mm晶圆上制造碳纳米管场效应晶体管，制造过程加快了1100倍以上

在200mm晶圆上制造碳纳米管场效应晶体管，制造过程加快了1100倍以上

碳纳米管场效应晶体管

尽管数十年来技术进步一直在使硅基晶体管的制造价格下降，但随着摩尔定律的实现以及随着更多的晶体管被集成到集成中而使我们不再看到能源效率的提高，这种趋势正在迅速接近尾声。电路。

另一方面，根据MIT团队研究的Max Shulaker的说法，CNFETS的能源效率远远高于硅基晶体管，“高出一个数量级……效率”。与在500摄氏度左右的温度下制造的硅基晶体管不同，

MIT研究人员Anthony Ratkovich（左）和Mindy D. Bishop举了一个硅晶片的例子。图片记入麻省理工学院

制造CNFET

可以使用各种方法来制造CNFET，但是，沉积纳米管最有效的方法之一就是孵育。该方法涉及将晶片浸入纳米管浴中，直到它们粘在晶片表面上。

经过实验，Bishop和研究小组得出结论，简单的孵化过程将产生出可以胜过硅的CNFET。

快1，100倍

对孵化过程的仔细观察向研究人员展示了他们如何改变孵化过程，使其更适合工业应用。例如，他们发现间歇性干燥干晶圆的方法干循环可以将孵育时间从两天减少到150秒。

在研究了用于制造CNFET的沉积技术之后，Shulaker及其同事进行了一些更改，与传统方法相比，将制造过程加快了1100倍以上，同时降低了生产成本。他们的技术将碳纳米管边到边沉积在晶圆上。

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