对于静态随机存储器SRAM，它将面临的两大问题挑战

对于静态随机存储器SRAM，它将面临的两大问题挑战

图1：过去30年中6晶体管SRAM单元尺寸的缩小趋势。一旦FinFET晶体管成为CMOS的基础，请注意减速。

平面到FinFET的过渡对SRAM单元的布局效率有重大影响。使用FinFET逐渐缩小关键节距已导致SRAM单元尺寸的迅速减小。鉴于对更大的片上SRAM容量的需求不断增长，这样做的时机不会更糟。离SRAM将主导DSA处理器大小的局面并不遥远。

已经采用了近20年的缓解技术来限制这种影响，最先进的技术是将SRAM电源电压从其工作值降低到所谓的数据保持电压（DRV）。最初此技术可将工作电源电压下的漏电流降低5到10倍。随着技术节点的发展，电源电压不断降低，工作电压和DRV之间的净空缩小了，从而导致使用该技术的漏电流降低了约2倍。

这两个SRAM挑战与不断提高的片上高速缓存存储速度和容量的需求密不可分，从而带来了成本和能源浪费方面的真正挑战。这种需求来自移动和数据中心应用程序。由于电池寿命的限制，对能源效率的最终要求在前者中是显而易见的，但在后者中也变得至关重要。

在许多此类DSA芯片并行运行的环境中，例如数据中心，此过程的低效率将导致数千安培从主电源流向地面。所有这些浪费的大量泄漏自然会导致巨大的浪费成本。

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