三星开始大规模生产MRAM记忆体，结合DRAM和NAND闪存特性

三星开始大规模生产MRAM记忆体，结合DRAM和NAND闪存特性

由于DRAM和NAND Flash微制成工艺已近乎接近极限，存储晶圆厂亟需另辟蹊径，寻求技术创新迭代，MRAM（磁电阻式随机存取记忆体）、PRAM(相变化记忆体）和RRAM（电阻式动态随机存取记忆体）三大存储记忆体的出现满足终端市场需求。

我们再看下三星，据其表示，该公司的MRAM采用28nm制程工艺，并基于FD-SOI的技术集成冲压处理，目前已经开始批量生产嵌入式磁性随机存取内存eMRAM。该公司计划年内开始生产1千兆位(Gb）eMRAM测试芯片，继续扩展其嵌入式存储器解决方案。

那么，为什么三星对MRAM记忆体芯片情有独钟？

另外据悉，英特尔的MRAM也已经开始投产，采用22nm制成工艺，相关参数如下表：

结论：随着次世代记忆体芯片MRAM、PRAM和RRAM开始布局市场，32层、64层等的NAND Flash闪存短期影响不大。不过，如未来次世代记忆体技术步入成熟期，并进入利基市场，其他竞品的空间或将会受限。

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