MOSFET系列（二）：从制造到封装，精益求精的日系MOSFET

MOSFET系列（二）：从制造到封装，精益求精的日系MOSFET

ROHM MOSFET系列

（BSS138BKWT106，ROHM）

（R6004JND3，ROHM）

RENESAS MOSFET系列

（2SK1317，瑞萨）

2SK1317是应用于1500V高击穿电压的器件，在低电流下即可驱动。峰值电流可到7A。RDS(on)典型值为9Ω，最大值12Ω。在高压下依然保持了较低的导通阻值。该器件在封装工艺上采用的TO-3P，是中高压、大电流MOS管常用的封装形式，在耐压性、抗击穿能力上都有很高的适应性。

瑞萨在封装工艺上还有很多“绝活”。WPAK是瑞萨开发的一种高热辐射封装，通过封装把芯片散热板焊接在主板上，通过主板散热，使小形封装的WPAK也可以达到D-PAK的输出电流同时减小布线电感。LFPAK和LFPAK-I是瑞萨开发的另外2种与SO-8兼容的小形封装。LFPAK类似D-PAK，但比D-PAK体积小。瑞萨的LFPAK-I封装在散热技术上可以说是散热技术的代表技术之一了。不难看出在细节上日系企业还是很能下苦工的。

东芝MOSFET系列

东芝在分立半导体上一直野心满满。此前曾提出要在2021年在分立型半导体元件上的销售额达到2000亿日元。东芝的12V-300V MOSFET延续了每一代的沟道结构和制造工艺，稳定降低低压功率MOSFET的漏极-源极导通电阻RDS(ON)。400V-900V MOSFET则提供了超结MOSFET主攻高输出应用，而对于低输出应用，提供了D-MOS（双扩散）MOSFET。

在12V-300V 范围里，东芝的MOSFET提供高速、低漏源导通电阻特性和低尖峰型，具有优化的缓冲电路吸收器常数。开关损耗和噪声性能在东芝的系列产品上也做的很好。

TPH2R408QM是东芝采用最新一代工艺制造而成的80V U-MOSX-H系列产品。开关应用中的关键指数如RDS(ON)，以及RDS(ON)×Qg都在新一代工艺下有了长足的进步。

（U-MOSX-H，东芝）

TPH2R408QM的RDS(ON)导通电阻（典型值）为1.9mΩ，在这样低的导通电阻下，该器件的总栅极电荷Qg也非常低，只有87nC。这得归功于 U-MOSX-H系列采用的细间距技术，该技术优化了单元结构。通过降低RDS(ON)、Qg，降低了主要损耗，提高设备的效率并且降低器件温度。除此之外，新的结构工艺和封装工艺下的TPH2R408QM拥有175℃超高的额定结温。

小结

从本期日系厂商的MOSFET产品系列可以看出，在功率半导体领域日系企业仍然表现强势。各大厂商都有自己的特长，有些在封装上独具匠心，有些在结构工艺上领先行业。虽然在市占上略微不及欧美系，但整体实力强劲且后劲十足。

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