旺宏电子推出全球首颗256Mbit序列快闪存储器

旺宏电子推出全球首颗256Mbit序列快闪存储器

旺宏电子推出全球首颗256Mbit序列快闪存储器

美国调研机构Web-Feet Research总裁Alan Niebel指出：「藉由全球首颗最高容256Mbit序列快闪存储器产品的推出，旺宏电子再度强化了在序列快闪存储器市场的领导地位。序列快闪存储器是一个成长快速的市场，尤其加上256Mbit产品的推出，预估全球产值将从2009年的6.45亿美元，迅速成长至2014年的20.36亿美元。」

既有的序列快闪存储器位元定址为24位元，但却卻因此限制了它的容量发展，最高容量只能达到128Mbit。然而，随着市场应用发展日趋多元及复杂，128Mbit的容量已无法满足部份系统程式码或应用端的需求，而市场上现有的技术，卻仍无法提出有效的解决方案。

有鉴于此，身为序列快闪存储器的领导厂商，旺宏电子领先业界，创新突破128Mbit容量的限制。旺宏电子的256Mbit序列快闪存储器，结合了新的32位元定址技术与既有的24位元定址技术，除了可使容量增大至256Mbit，并且还保留了能与原有产品相容的方便性。这项新存储器产品，在开机时为既有24位元定址的模式，使用者可视其需求自由选择切换至32位元定址，让系统工程师易于设计使用。

美国TranSwitch 公司「产品应用与客户解决方案」处长Shahin Rohani强调：「目前许多新兴的市场如VoIP网路电话处理器就需要使用高容的序列快闪存储器，而旺宏电子为全球序列快闪存储器的领导品牌，更率先推出256Mbit产品，我们很乐意与旺宏电子携手合作。」

旺宏电子预计于十月推出样品后，于十二月正式量产。相关产品说明请至旺宏电子网站查询：macronix.com。

以下为MX25L25635E产品之主要功能说明：

架构

 容量: 256Mbit

 符合Serial Peripheral Interface基本协定架构

 定址位元

 24-位元模式

 32-位元模式

 工作电压 : 2.7-3.6V

 抹除单位

 4K-byte 区块

 32K-byte区块

 64K-byte区块

 整块256Mbit

 写入单位

 256-byte

 1-byte

性能表现

 读取性能表现

 单一I/O模式: 80Mbitps

 双I/O模式: 140Mbitps

 四I/O 模式: 280Mbitps

 写入性能表现

 256-byte: 1.4mS(typical)

 1-byte: 9uS(typical)

 抹除性能表现

 4K-byte: 60mS(typical)

 32K-byte: 0.5S(typical)

 64K-byte: 160S(typical)

其他特有功能

 额外的4K-bit 安全一次性写入区块(secured OTP)

 支援Serial Common Flash Interface

封装

 业界 16脚SOIC

 符合RoHS的无铅封装

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