扩充产能 罗姆推进SiC产品布局

扩充产能 罗姆推进SiC产品布局

比较优势

与Si功率器件相比，SiC产品的耐高压特性使得器件可以使用更薄的半导体层（约1/10），并且由于其漂移区阻值只有Si器件的1/300，所以它的导通损耗非常低。

提升产能

基于这样的市场潜力，罗姆正在积极扩张该公司产能。去年4月，罗姆在日本福冈县启动了12年来首座新厂——ROHM Apollo筑后工厂——的建设，原计划总建筑面积为1.1万平方米，后又决定加建到2万平方米。该厂主要生产6英寸SiC功率器件的衬底、外延片和晶圆加工的预处理工艺。预计新厂房将于2020年12月竣工，2021年开始投入运营，2022年开始大批量生产。新厂投产后，预计到2024财年，罗姆SiC器件全球总产能较2016财年将增长16倍，栅极驱动则较2016财年增长15倍。

上面两张图分别是罗姆目前所有的SiC分立和功率模块产品。罗姆是全球少数完全拥有SiC垂直整合制造工艺的公司，包括从晶棒生产到晶圆再到封装。据悉，今年该公司将扩充6英寸第三代工艺600V SBD产品，预计年底将推出1200V样片；在SiC-MOSFET上，今年会推出非车规第四代6英寸工艺产品，明年则将推出车规级产品。

重在车载

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