突破! 中国造出9nm光刻试验样机!

突破! 中国造出9nm光刻试验样机!

9nm线宽双光束超衍射极限光刻试验样机

双光束超衍射极限光刻技术完全不同于目前主流集成电路光刻机不断降低光刻波长，从193纳米波长的深紫外（DUV）过渡到13．5纳米波长的极紫外（EUV）的技术路线。甘棕松团队利用光刻胶材料对不同波长光束能够产生不同的光化学反应，经过精心的设计，让自主研发的光刻胶能够在第一个波长的激光光束下产生固化，在第二个波长的激光光束下破坏固化；将第二束光调制成中心光强为零的空心光与第一束光形成一个重合的光斑，同时作用于光刻胶，于是只有第二束光中心空心部分的光刻胶最终被固化，从而远场突破衍射极限。

纳米加工三维结构的设计及实际光刻效果图

同时通过合作实现了样机系统关键零部件包括飞秒激光器、聚焦物镜等的国产化，在整机设备上验证了国产零部件具有甚至超越国外同类产品的性能。双光束超衍射极限光刻系统目前主要应用于微纳器件的三维光制造，未来随着进一步提升设备性能，在解决制造速度等关键问题后，该技术将有望应用于集成电路制造。甘棕松说，最关键的是，我们打破了三维微纳光制造的国外技术垄断，在这个领域，从材料、软件到光机电零部件，我们都将不再受制于人。

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