晶圆制造与生产工艺的区别（晶圆生产车间的特点）

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本文目录一览：

• 1、硅晶圆直径、集成电路工艺尺寸的区别是什么？
• 2、LED的芯片晶圆与集成电路芯片晶圆有哪些工艺不一样？
• 3、晶圆制造

硅晶圆直径、集成电路工艺尺寸的区别是什么？

这是两种描述晶圆规格及工艺水平的数据，几寸指的晶圆大小（直径），几纳米指的晶体管之间的距离，晶圆直径越大，且晶体管之间的距离越小，那么单片晶圆上集成的晶粒（芯片）数也越多，也就是集成度越高，所以尺寸越做越大，间距（纳米）越做越小，技术也越来越复杂。

硅是由石英砂所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%）。

扩展资料：

注意事项：

1、由于晶圆生产工艺中，其表面会形成薄膜，这需要光刻技术将它去掉。在晶圆制造过程中，晶体、电容、电阻等在晶圆表面或表层内构成，这些部件是每次在一个掩膜层上生成的，并且结合生成薄膜及去除特定部分，通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留特征图形的部分。

2、光刻确定了器件的关键尺寸，光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好，最终可转化为对器件的电特性产生影响。

3、高纯度的多晶硅放在石英坩埚中，并用外面围绕着的石墨加热器不断加热，温度维持在大约一千多摄氏度，炉中的空气通常是惰性气体，使多晶硅熔化，同时又不会产生不需要的化学反应。

参考资料来源：百度百科-晶圆

参考资料来源：百度百科-晶圆工艺

参考资料来源：百度百科-纳米

参考资料来源：百度百科-晶体管

参考资料来源：百度百科-硅

LED的芯片晶圆与集成电路芯片晶圆有哪些工艺不一样？

晶圆厂和封装厂是两个不同的工序。晶圆厂在半导体行业来说称为前道工序，是指在单晶硅片上加工半导体器件的生产工序（每个硅片上有成千上万个同样的集成电路等器件）。而封装厂是把经过晶圆厂加工成的产品进行包封的工序（给每一个集成电路芯片引出引线穿上衣服），在半导体行业称为后道工序。晶圆厂的英寸指它能加工的半导体硅材料的尺寸，而不是集成电路的大小。

晶圆制造

晶圆（WAFER）：多指单晶硅圆片，由普通硅沙拉制提炼而成，是最常用的半导体材料。按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸等规格，近来已经发展出16英寸甚至更大规格。晶圆越大，同一圆片上可生产同规格的IC就多，可有效降低IC成本。
半导体晶圆制造的基本原理，主要是将经过精密设计的电路，藉由光罩逐层（Layer by Layer）的转移至矽晶圆上，以制造出所需的IC产品。主要的加工步骤包括化学清洗（Chemical clean）、氧化∕薄膜沈积(Oxidation∕Metal deposition)、光罩投影(Photolithography)、蚀刻(Etching)、离子植入（Ion implant）、扩散(Diffuse)、光阻去除、检验与量测等[34]，总加工步骤随著历年曝光方式的改变及线路线宽的减少而与日遽增。以动态随机存取记忆体（DRAM）为例，制作过程非常困难且繁复，如将量测与检验等步骤纳入考量，总制程步骤已超过五百道以上。
晶圆制造的基本流程，是将矽晶圆投入制程中，经过化学清洗、氧化∕薄膜沈积等程序后，会於矽晶圆表面形成一层矽氧化膜，此薄膜经过上光阻液、并配合光罩於黄光区进行曝光、显影，就可将光罩上的电路图移转至矽晶圆上。经过特殊光线照射后的光阻液会产生变化，使得此部份的光阻液可利用化学药品或腐蚀性气体去除而露出矽氧化膜，此为蚀刻（Etching）过程。露出的矽氧化膜经离子植入制程，於晶圆表面植入硼、砷和磷等离子，以形成半导体电子元件。接下来以金属贱镀的方式，於晶圆表面贱镀能够导电的金属层，以连接电子元件，并以表面绝缘保护，就可完成其中一个层（Layer）的制造。如此一层一层的层叠架构，就可将电路图完全的移转至矽晶圆上，完成所制造的IC产品，不同功能的IC产品所需的层数也不相同，视其复杂度而定。以下便针对上述几个单元制作略述其制造、生产特性以及所使用的设备。

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